专利名称：分段式NPN垂直双极晶体管专利类型：发明专利
发明人：亨利·利茨曼·爱德华兹,阿克拉姆·A·萨勒曼,MD·伊克
巴勒·马哈茂德
申请号：CN201580009877.X申请日：20150323公开号：CN106030808A公开日：20161012
摘要：在所描述的实例中，一种分段式双极晶体管(100)包含半导体表面(106)中的p‑基极，其包含至少一个p‑基极指状物(140)，所述p‑基极指状物(140)具有包含接触所述p‑基极指状物(140)的所述半导体表面上的硅化物层(159)的基极金属线的基极金属/硅化物堆叠。n+掩埋层(126)在所述p‑基极之下。集电极包含n+沉降区(115)，其从所述半导体表面延伸到所述n+掩埋层(126)，其包含具有集电极金属/硅化物堆叠的集电极指状物，所述集电极金属/硅化物堆叠包含接触所述集电极指状物的所述半导体表面上的硅化物层的集电极金属线。n+射极(150)具有至少一个射极指状物，其包含接触所述射极指状物的所述半导体表面上的所述硅化物层(159)的射极金属/硅化物堆叠。所述射极金属/硅化物堆叠和/或集电极金属/硅化物堆叠包含具有间隙(150c)的分段，其切割金属线和/或所述堆叠的所述硅化物层。
申请人：德州仪器公司
地址：美国德克萨斯州
国籍：US
代理机构：北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人：林斯凯
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